[发明专利]具有软错误紊乱免疫的易失性存储器元件及其操作方法有效
| 申请号： | 201510363047.9 | 申请日： | 2010-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN104992722B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | B·B·皮德森 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | G11C7/20 | 分类号： | G11C7/20;G11C11/412;H03K19/003;H03K19/177 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵蓉民,徐东升 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器元件，其即使承受高能原子微粒冲击也呈现对软错误紊乱事件的免疫。存储器元件可以均具有10个晶体管，包括2个地址晶体管和相互连接以形成双态元件的4个晶体管对。诸如真实清除线和补偿清除线的清除线可以引导到与特定晶体管对相关联的正供电端子和接地供电端子。在清除操作期间，可使用清除线对晶体管对中的一些或者全部选择性地断电。这就帮助清除操作，其中通过地址晶体管驱动逻辑零值并且减少交叉流涌动。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 错误 紊乱 免疫 易失性 存储器 元件 | ||
【主权项】：
存储器元件电路，包括：第一反相电路；耦合到所述第一反相电路的第二反相电路；耦合到所述第一反相电路的电源极端子的控制线路；以及控制电路，可操作以使在所述控制线路上的控制信号有效，以便禁用所述第一反相电路同时将第一值加载到所述第二反相电路。
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