[发明专利]微机械系统和用于制造微机械系统的方法有效
申请号: | 201510363290.0 | 申请日: | 2015-06-26 |
公开(公告)号: | CN105417489B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | S.比泽尔特;B.宾德;H.弗勒利希;T.考奇;M.施特格曼;M.福格特 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;徐红燕 |
地址: | 德国德*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 微机械系统和用于制造微机械系统的方法。制造微机械系统的方法包括在FEOL工艺中在晶体管区域中形成晶体管的步骤。在FEOL工艺之后,在晶体管区域中沉积保护层,其中保护层包括隔离材料。至少在不是晶体管区域的区域中形成结构化牺牲层。此外,形成至少部分覆盖结构化牺牲层的功能层。在形成功能层之后,去除牺牲层以便在功能层与沉积有牺牲层的表面之间产生空腔。保护层保护晶体管避免在MOL以及BEOL工艺中的进一步处理步骤中的蚀刻工艺期间受到损害。相同的氧化物可以用作BEOL中的金属化工艺的基础。因此,通常用作晶体管的保护的保护层可以保留在晶体管上方。因此,在BEOL工艺之前施加的保护层变成氧化物覆盖物的部分。 | ||
搜索关键词: | 微机 系统 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造微机械系统的方法,所述方法包括:在晶体管区域中以前段制程FEOL工艺形成晶体管;在所述FEOL工艺之后,在所述晶体管区域中沉积保护层,其中所述保护层包括隔离材料;形成牺牲层;对所述牺牲层进行结构化以形成结构化牺牲层;形成至少部分覆盖所述结构化牺牲层的功能层;去除所述牺牲层以产生空腔;在晶体管区域的至少一部分上方形成介电层;在介电层上方形成至少一个金属层;以及在晶体管区域中在所述保护层与至少一个晶体管上方的介电层之间形成界面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造