[发明专利]片上毫米波发射机及其校准方法和片上毫米波功率传感器有效
| 申请号： | 201510364015.0 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN105158743B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | H·克纳普;J·武斯特霍恩 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01S7/40 | 分类号： | G01S7/40;G01S7/282 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及片上毫米波发射机及其校准方法和片上毫米波功率传感器。本发明涉及包括至少一个可耦合到振荡器的发射路径和用来在通过至少一个发射路径发射的发射功率的至少一部分处进行测量的片上功率传感器的片上毫米波发射机。本发明进一步涉及一种校准片上毫米波发射机的方法和一种可耦合到毫米波发射机的至少一个发射路径的片上功率传感器。本发明的实施例提供了对在所述毫米波发射机的发射路径中的个别发射路径内提供的发射功率的直接测量。 | ||
| 搜索关键词： | 毫米波 发射机 及其 校准 方法 功率 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种片上毫米波发射机，包括‑可耦合到振荡器的至少一个发射路径，所述至少一个发射路径提供发射功率；‑可耦合到所述振荡器并且包括片上功率传感器的校准路径，所述片上功率传感器被配置为测量通过所述至少一个发射路径发射的发射功率的至少一部分。
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