[发明专利]紧凑CMOS器件绝缘结构

摘要

一种集成电路包括一个第一导电类型的第一阱，形成在半导体层中，第一阱罩住有源器件，并且连接到第一阱电势，一个第二导电类型的第二阱，形成在半导体层中，包围着第一阱，第二阱罩住有源器件，并且连接到第二阱电势，一个第二导电类型的掩埋层，形成在第一阱下方，并且部分重叠包围着第一阱的第二阱。在一个可选实施例中，集成电路包括一个第二导电类型的第三阱，取代掩埋层，第三阱含有第一阱，并且部分衬底包围着第一阱的第二阱。

主权项

1.一种集成电路，其特征在于，包括：一第一导电类型轻掺杂的半导体层；一第一导电类型的第一阱，形成在半导体层中，所述的第一阱罩住有源器件，并且连接到第一阱电势，一第二导电类型的第二阱，形成在半导体层中并且具有闭合的环形阱结构以包围着所述第一阱，所述第二阱罩住有源器件并且连接到第二阱电势；以及一第二导电类型的掩埋层，形成在第一阱和第二阱下方的半导体层中，所述的半导体层与第一阱和第二阱间隔开，掩埋层至少部分地与第二阱重叠以围绕第一阱的外围，所述第一阱通过第二阱与半导体层隔离且所述掩埋层形成在所述第一阱下方。