[发明专利]含有石墨烯过渡层的CdZnTe光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种含有石墨烯过渡层的CdZnTe光电探测器及其制备方法，基于近空间升华方法，通过对沉积的CdZnTe膜进行溴甲醇腐蚀后，采用旋涂工艺在CdZnTe和Au电极之间制备石墨烯过渡层，从而获得CdZnTe光电探测器。本发明CdZnTe光电探测器中增加石墨烯过渡层是一种新型光电探测器结构，有效地避免CdZnTe表面受环境影响，去除CdZnTe表面的杂质和缺陷，提高CdZnTe结晶质量，明显改善CdZnTe与Au电极之间的界面接触，获得更好的欧姆接触，从而降低器件的暗电流，提高器件灵敏度和光电响应。本发明方法具有工艺简单，成本更低，可重复性高，扩大了CdZnTe在光电探测器中的应用范围。

主权项

一种含有石墨烯过渡层的CdZnTe光电探测器，依次由导电衬底（1）、CdZnTe膜（2）和金属电极层（4）层叠形成层状复合光电器件结构，其特征在于：所述导电衬底（1）采用掺杂氟的SnO₂导电玻璃，在CdZnTe膜（2）中的锌摩尔百分比含量为2~20%，所述金属电极层（4）采用Au电极，在所述CdZnTe膜（2）和所述金属电极层（4）之间设置一层厚度为0.2‑0.5mm的石墨烯过渡层（3），使CdZnTe膜（2）和金属电极层（4）之间形成欧姆接触界面复合结构。