[发明专利]基于磁流体的M-Z型玻璃基光波导磁场强度传感器在审

专利信息
申请号: 201510365677.X 申请日: 2015-06-29
公开(公告)号: CN104950267A 公开(公告)日: 2015-09-30
发明(设计)人: 李宇波;易哲为;魏兵;卞强;周柯江;郝寅雷 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G01R33/032 分类号: G01R33/032
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林怀禹
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于磁流体的M-Z型玻璃基光波导磁场强度传感器。依次包括光波导输入端,输入端的直波导,Y分叉波导,中间两条平行的直波导,反向Y分叉波导,输出端的直波导和光波导输出端;其特征在于:在中间两条平行的直波导中的任意一条上覆盖磁流体薄膜,磁流体薄膜与该直波导的玻璃基芯层相接触。本发明由于磁流体的折射率对外磁场强度具有严重的依赖关系,因此基于此特性的磁场传感器灵敏度很高。此外,基于磁流体的M-Z型玻璃基光波导磁场强度传感器为无源传感,没有因有源带来的电磁干扰。同时,对于磁流体性质的充分利用,可通过调节磁流体薄膜的厚度、浓度等因素控制灵敏度以及传感范围。
搜索关键词: 基于 流体 玻璃 波导 磁场强度 传感器
【主权项】:
一种基于磁流体的M‑Z型玻璃基光波导磁场强度传感器,依次包括光波导输入端,输入端的直波导,Y分叉波导,中间两条平行的直波导,反向Y分叉波导,输出端的直波导和光波导输出端;其特征在于:在中间两条平行的直波导中的任意一条上覆盖磁流体薄膜,磁流体薄膜与该直波导的玻璃基芯层相接触。
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