[发明专利]一种双大马士革集成工艺方法

摘要

本发明公开了一种双大马士革集成工艺方法，通过干法刻蚀在超低k介电材料层形成双大马士革结构后，进行第一次等离子体处理使双大马士革结构侧壁处的超低k介电材料改性成为二氧化硅，从而在后续的湿法工艺中可以防止药液渗入超低k介电材料的微孔，避免其对双大马士革结构的影响；在湿法工艺后，对其再进行第二次等离子体处理，使双大马士革结构侧壁处的二氧化硅再改性成为超低k介电材料，可避免湿法工艺对超低k介电材料造成的介质损伤，并能够充分利用现有真空腔体，容易实现工艺整合。

主权项

一种双大马士革集成工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述衬底上淀积超低k介电材料层，并在所述超低k介电材料层形成双大马士革结构；步骤S02：对所述双大马士革结构进行第一次等离子体处理，以在所述双大马士革结构侧壁处将所述超低k介电材料转化为二氧化硅；步骤S03：进行湿法清洗工艺；步骤S04：对所述双大马士革结构进行第二次等离子体处理，以在所述双大马士革结构侧壁处将所述二氧化硅再次转化为低k介电材料；步骤S05：进行阻挡层/籽晶层淀积，以及进行铜电镀的填充和化学机械抛光工艺。