[发明专利]一种镍硅化物的优化方法有效
| 申请号： | 201510367108.9 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN104952799B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镍硅化物的优化方法，将形成镍硅化物时的传统两次退火优化为三次退火工艺，通过在第一次退火时消耗掉部分厚度的NiPt层，并在第一、二次退火之间进行离子注入Pt，从而改变了Pt在NiPt中的分布及含量，使得NiPt中的Pt远离基底硅，可在第一、二次退火时都形成Ni2Si，避免了因传统的富硅环境而形成高电阻的NiSi2，增强了最终形成的NiSi的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镍硅化物 优化 方法 | ||
【主权项】：
一种镍硅化物的优化方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一形成有NMOS和PMOS的半导体衬底，沉积一SiN层作为金属硅化物阻挡层，并选择性地去除需要形成金属硅化物区域的SiN；步骤S02：依次沉积一第一NiPt层和第一TiN层；步骤S03：进行第一次退火，消耗掉部分厚度的第一NiPt层，在需要形成金属硅化物的区域形成第一镍硅化物；步骤S04：向第一TiN层和第一NiPt层进行Pt的离子注入，形成第二TiN层和第二NiPt层；步骤S05：进行第二次退火，在需要形成金属硅化物的区域继续形成第一镍硅化物；步骤S06：去除第二TiN层、没有反应的第二NiPt层以及SiN层，然后，进行第三次退火，在需要形成金属硅化物的区域形成第二镍硅化物。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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