[发明专利]一种制作镍硅化物的方法

摘要

本发明公开了一种制作镍硅化物的方法，通过应用应力技术，在NMOS和PMOS上沉积具有相反应力的TiN作为NiPt的保护层，在后续的镍硅化物形成过程中，不同的应力经过反应以及相变被记忆下来，使形成的镍硅化物可对NMOS沟道施加拉应力，对PMOS沟道施加压应力，从而避免了在金属硅化物的形成过程中，引入应力层所带来的负面作用，改善了器件的性能；NMOS和PMOS覆盖的NiPt具有不同含量的Pt，可满足器件的不同要求；此外，在NMOS保留的SiN，可在去除其上的NiPt时，避免对S/D带来额外的损害。

主权项

一种制作镍硅化物的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一形成有NMOS和PMOS的半导体衬底，沉积一SiN层作为金属硅化物阻挡层，并选择性地去除PMOS上需要形成金属硅化物区域的SiN，即去除PMOS栅极和源/漏区域的SiN，保留NMOS上的SiN层；步骤S02：依次沉积一第一NiPt层和压应力第一TiN层，并选择性地去除NMOS上的第一TiN层、第一NiPt层，随后，选择性地去除NMOS上需要形成金属硅化物区域的SiN；步骤S03：沉积一第二NiPt层和拉应力第二TiN层，并选择性地去除PMOS上的第二TiN层、第二NiPt层；步骤S04：进行第一次退火，在需要形成金属硅化物的区域形成第一镍硅化物；步骤S05：去除第一、第二TiN层以及没有反应的第一、第二NiPt层；步骤S06：进行第二次退火，在需要形成金属硅化物的区域形成第二镍硅化物。