[发明专利]LED外延结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，MQW有源层，电子阻挡层，欧姆接触层；所述电子阻挡层和所述欧姆接触层之间还生长有极化掺杂层，所述极化掺杂层为非故意掺杂Al_xGa_(1-x)N层，所述非故意掺杂Al_xGa_(1-x)N层中Al的摩尔含量从与所述电子阻挡层接触的下表面到与所述欧姆接触层接触的上表面递减。本发明采用新的非故意掺杂Al_xGa_(1-x)N层取代传统的Mg故意掺杂的P型GaN层，从而获得较高的空穴浓度；同时，避免在GaN晶格中引入高掺杂浓度的Mg原子所造成的晶体质量下降，以及C杂质的增加，以达到减少吸光，提升发光效率的目的。

主权项

一种LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，MQW有源层，电子阻挡层，欧姆接触层；所述电子阻挡层和所述欧姆接触层之间还生长有极化掺杂层，所述极化掺杂层为非故意掺杂Al_xGa_(1‑x)N层，所述非故意掺杂Al_xGa_(1‑x)N层中 Al的摩尔含量从与所述电子阻挡层接触的下表面到与所述欧姆接触层接触的上表面递减。