[发明专利]SONOS器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种SONOS器件的制造方法，SONOS器件的单元结构的制作方法包括如下步骤提供硅衬底，分别形成ONO层和栅氧化硅层；淀积多晶硅层并光刻刻蚀；进行LDD注入；进行HALO注入，注入离子包括铟和硼离子。本发明利用铟离子比硼离子的质量大、注入后分布浅且集中且随热过程扩散量更小的特点，通过增加铟离子注入来调节HALO注入的离子分布，在SONOS器件的尺寸不断缩小时通过增加铟离子注入使得HALO注入的离子分布集中于多晶硅栅的底部，能降低SONOS器件的漏电并有利于SONOS器件的尺寸缩小，能降低高电压下的栅致漏极漏电以及能提高器件的可靠性。

主权项

一种SONOS器件的制造方法，SONOS器件的单元结构包括一个存储单元管和一个选择管，其特征在于，SONOS器件的单元结构的制作方法包括如下步骤：步骤一、提供一硅衬底，在所述存储单元管的形成区域形成ONO层，在所述选择管的形成区域形成栅氧化硅层；所述ONO层由依次形成于所述硅衬底表面的第一氧化硅层、第二氮化硅层和第三氧化硅层组成；步骤二、淀积多晶硅层，对所述多晶硅层进行光刻刻蚀形成所述存储单元管的第一多晶硅栅和所述选择管的第二多晶硅栅；步骤三、采用LDD注入掩膜版同时对所述存储单元管和所述选择管进行LDD注入；步骤四、采用LDD注入掩膜版同时对所述存储单元管和所述选择管进行HALO注入，所述HALO注入的注入离子包括铟离子和硼离子，利用铟离子比硼离子的质量大、铟离子注入后分布比硼离子分布浅且集中且随热过程扩散量更小的特点，通过增加铟离子注入来调节所述HALO注入的离子分布，在SONOS器件的尺寸不断缩小时通过增加铟离子注入使得所述HALO注入的离子分布集中并且使形成LDD结和表面沟道更浅，用于降低SONOS器件的漏电并有利于SONOS器件的尺寸缩小。