[发明专利]一种高隔离度射频开关电路

摘要

本发明提供一种高隔离度射频开关电路，包括基本单刀单掷射频开关单元和滤波器单元，其在基本单刀单掷射频开关单元的参考地C点，通过键合丝寄生电感L1b串连电感L3b与地相连，形成直流通道，通过键合丝寄生电感L2b串连电容C1b与地相连，电感L1b串连电感L3b与通过键合丝L2b与参考地C点连接的电容C1b并联，形成滤波器。因此，在不影响射频开关到地直流通路的情况下，通过将键合丝寄生电感L1b吸收进滤波器，降低了键合丝寄生参数对射频开关隔离度的影响，通过调整滤波器的电感L3b和电容C1b值，可以有针对性的提高射频开关在不同频率下的隔离度。与传统射频开关比较，本发明的高隔离度射频开关隔离度可以提高5～10dB，同时不会影响射频开关插入损耗等电特性。

主权项

一种高隔离度射频开关电路，其特征在于，包括基本单刀单掷射频开关单元和滤波器单元；其中，所述基本单刀单掷射频开关单元包括NMOS管M1b、NMOS管M2b、NMOS管M3b、NMOS管M4b、NMOS管M5b、电阻R1b、电阻R2b、电阻R3b、电阻R4b、电阻R5b和电阻R6b，所述NMOS管M1b的漏极与信号输入端VIN相连，NMOS管M1b的源极与NMOS管M2b和NMOS管M4b的漏极相连，NMOS管M2b的源极与NMOS管M3b和NMOS管M5b的漏极以及电阻R6b的一端相连，NMOS管M3b的源极与电阻R6b的另一端和信号输出端VOUT连接，NMOS管M4b和NMOS管M5b的源极连接在一起且连接点为C，电阻R1b的一端与NMOS管M1b的栅极相连，电阻R2b的一端与NMOS管M2b的栅极相连，电阻R3b的一端与NMOS管M3b的栅极相连，电阻R1b的另一端、电阻R2b的另一端和电阻R3b的另一端均与控制端B连接，电阻R4b的一端与NMOS管M4b的栅极相连，电阻R5b的一端与NMOS管M5b栅极相连，电阻R4b的另一端和电阻R5b的另一端均与控制端A连接；所述滤波器单元包括电感L1b、电感L2b、电感L3b和电容C1b，所述电感L1b的一端与连接点C连接，电感L1b的另一端与电感L3b的一端连接，电感L3b的另一端接地，电感L2b的一端与连接点C连接，电感L2b的另一端与电容C1b的一端连接，电容C1b的另一端接地；通过调整电感L3b和电容C1b的值，有针对性的提高射频开关在不同频率下的隔离度。