[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201510367484.8 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN106298894B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底以及位于基底表面的层间介质层，所述层间介质层内形成有暴露出基底表面的凹槽，凹槽包括沿鳍部延伸方向排列的第一区域、第二区域和第三区域；在凹槽的第一区域和第三区域形成非晶硅层，暴露出第二区域的第一功函数层表面；对第二区域的第一功函数层进行掺杂处理，将第二区域的第一功函数层转化为第二功函数层；去除所述第一区域的非晶硅层；对第三区域的非晶硅层进行退火处理，将第三区域的第一功函数层转化为第三功函数层；在所二功函数层表面、第三功函数层表面以及第一功函数层表面形成金属栅极。本发明同一金属栅极下方具有功函数值不同的三种功函数层，有效的改善形成的半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于衬底表面的鳍部、位于衬底表面且覆盖鳍部部分侧壁表面的隔离层，所述隔离层顶部低于鳍部顶部，所述基底表面形成有层间介质层，且所述层间介质层内形成有凹槽，所述凹槽底部表面形成有栅介质层以及位于栅介质层表面的第一功函数层，其中，所述凹槽包括沿鳍部延伸方向依次排列的第一区域、第二区域和第三区域；在所述凹槽的第一区域和第三区域形成非晶硅层，所述非晶硅层暴露出第二区域的第一功函数层表面；以所述非晶硅层为掩膜，对所述第二区域的第一功函数层进行掺杂处理，将所述第二区域的第一功函数层转化为第二功函数层；去除所述第一区域的非晶硅层；对所述第三区域的非晶硅层进行退火处理，将第三区域的第一功函数层转化为第三功函数层；去除所述第三区域的非晶硅层；在所述第二功函数层表面、第三功函数层表面以及第一区域的第一功函数层表面形成金属栅极；所述第一功函数层、第二功函数层和第三功函数层分别具有不同的功函数值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510367484.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法
- 下一篇：一种晶体管
- 同类专利
- 专利分类
