[发明专利]过温保护电路有效

专利信息
申请号: 201510367755.X 申请日: 2015-06-29
公开(公告)号: CN104993454B 公开(公告)日: 2018-12-04
发明(设计)人: 潘福跃;李现坤;汤赛楠 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号: H02H5/04 分类号: H02H5/04
代理公司: 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 代理人: 杨立秋
地址: 214035 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种过温保护电路。过温保护电路包括过温检测电路和信号输出电路。过温检测电路包括用于检测温度的双极型晶体管、具有正温度系数的第一电阻和具有负温度系数的二端元器件,当温度未超过温度保护阈值时,第二电压大于第一电压,第二电流小于第一电流;当温度超过温度保护阈值时,第二电压小于第一电压,第二电流大于第一电流;过温检测电路的输出端输出表征温度变化的过温检测信号,所述信号输出电路在所述过温检测信号的驱动下输出表示温度是否超过温度保护阈值的过温保护信号。本发明的电路结构简单,实现了过温保护的功能,电路所需元器件较少,整体功耗低,无需电压比较器以及基准电压,设计难度低,可方便调节过温保护阈值。
搜索关键词: 保护 电路
【主权项】:
1.一种过温保护电路,包括过温检测电路和信号输出电路,其特征是:所述过温检测电路包括第一恒流源、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、用于检测温度的双极型晶体管、具有正温度系数的第一电阻和具有负温度系数的二端元器件,所述第一恒流源的输出端接地,其输入端与第一PMOS管的漏极相连,所述第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的源极均与电源端VDD相连,所述第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的栅极互相连接,所述第一PMOS管的栅极与其漏极相连;第一NMOS管、第二NMOS管的漏极分别与第二PMOS管和第三PMOS管的漏极相连,第一NMOS管和第二NMOS管的栅极互连,第一NMOS管的漏极和栅极相连;所述第一NMOS管的源极与二端元器件的一端相连,所述二端元器件的另一端和第一电阻的一端相连,所述第一电阻的另一端接地;所述第二NMOS管的源极与双极型晶体管的发射极相连,双极型晶体管的集电极与基极相连后接地,第三PMOS管和第二NMOS管之间的连接节点为所述过温检测电路的输出端;所述信号输出电路包括第四PMOS管、第二恒流源、第一反相器和第二反相器,第四PMOS管的栅极与所述过温检测电路的输出端相连,其源极与所述电源端VDD相连,其漏极与所述第二恒流源的输入端相连,所述第二恒流源的输出端接地;第一反相器的输入端与第四PMOS管和第二恒流源之间的连接节点相连,其输出端与第二反相器的输入端相连,所述第二反相器的输出端与信号输出电路的输出端相连;所述第一NMOS管的源极电压为第一电压,所述双极型晶体管发射极的电压为第二电压,第三PMOS管所能提供的最大电流为第一电流,流过第二NMOS管上的电流为第二电流;当温度未超过温度保护阈值时,第二电压大于第一电压,第二电流小于第一电流;当温度超过温度保护阈值时,第二电压小于第一电压,第二电流大于第一电流;过温检测电路的输出端输出表征温度变化的过温检测信号,所述信号输出电路在所述过温检测信号的驱动下输出表示温度是否超过温度保护阈值的过温保护信号;所述过温检测电路还包括具有正温度系数的第二电阻和与第二电阻并联的开关器件,所述第二电阻串联在第一电阻和接地端之间;所述开关器件的控制端与第一反相器和第二反相器的连接处相连,在所述信号输出电路输出的过温保护信号表示温度未超过温度保护阈值时,所述开关器件导通,在所述信号输出电路输出的过温保护信号表示温度超过温度保护阈值时,所述开关器件截止。
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