[发明专利]反应腔室及半导体加工设备在审
| 申请号： | 201510367794.X | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN106298422A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张彦召;陈鹏 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，其包括用于产生等离子体的工艺腔、设置在所述工艺腔顶部的点火装置和射频源，其中，点火装置用于使位于点火装置部分的等离子体启辉；射频源用于分别向第一射频线圈和点火装置提供射频能量，并通过对第一射频线圈和点火装置获得的射频能量进行分配调节，而使位于点火装置部分以及工艺腔内的等离子体顺序启辉。本发明提供的反应腔室，其可以在保证顺利启辉的前提下，使工艺腔内的工艺气压恒定不变，从而可以提高整个工艺的稳定性。而且，由于在启辉过程中，工艺腔内的工艺气压较低，这不仅可以提高刻蚀均匀性，而且还可以避免启辉电压较高损伤基片。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种反应腔室，包括用于产生等离子体的工艺腔，在所述工艺腔的周围环绕设置有第一射频线圈；其特征在于，还包括：点火装置，设置在所述工艺腔顶部，用于使位于所述点火装置部分的等离子体启辉；射频源，用于分别向所述第一射频线圈和所述点火装置提供射频能量，并通过对所述第一射频线圈和所述点火装置获得的射频能量进行分配调节，而使位于所述点火装置部分以及所述工艺腔内的等离子体顺序启辉。
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