[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本申请涉及半导体器件及其制造方法。公开了一种具有提高的可靠性的半导体器件。在根据一个实施例的半导体器件中，沿X方向延伸的元件隔离区域具有交叉区域，该交叉区域与沿Y方向延伸的存储器栅极电极在平面图中交叉，Y方向与X方向以直角相交。在这种情况下，在交叉区域中，靠近源极区域的一个边沿侧的在Y方向上的宽度大于靠近控制栅极电极的另一边沿侧的在Y方向上的宽度。

主权项

1.一种半导体器件，包括：元件隔离区域，所述元件隔离区域在半导体衬底中形成并沿第一方向延伸；控制栅极电极，所述控制栅极电极在所述半导体衬底之上形成并沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向以直角相交；存储器栅极电极，所述存储器栅极电极在所述半导体衬底之上形成并沿所述第二方向延伸，以使得与所述控制栅极电极平行；以及源极区域，所述源极区域在所述半导体衬底中形成并沿所述第二方向延伸，以使得与所述存储器栅极电极平行，其中所述元件隔离区域包括：交叉区域，所述交叉区域与所述存储器栅极电极在平面图中交叉；以及端接区域，所述端接区域与所述交叉区域和所述源极区域在平面图中相接触，并且其中在所述交叉区域中，在所述源极区域附近布置的第一边沿侧的在所述第二方向上的第一宽度大于在所述控制栅极电极附近布置的第二边沿侧的在所述第二方向上的第二宽度。