[发明专利]一种有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料及其制备方法有效
申请号: | 201510369063.9 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN104952711B | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 彭淑静;唐立丹;梅海林;王冰;齐锦刚;王建中 | 申请(专利权)人: | 辽宁工业大学 |
主分类号: | H01L21/208 | 分类号: | H01L21/208;H01L31/0216;H01L31/0256;H01L31/042 |
代理公司: | 锦州辽西专利事务所(普通合伙)21225 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 121000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料及其制备方法,将固体甲基溴化铵和固体溴化亚铅、固体溴化亚锡进行混合,加入到N,N‑二甲基甲酰胺溶剂中,搅拌均匀,得到反应溶液;将反应溶液进行脉冲电磁场处理后,滴加在导电玻璃基片上,分别进行低速旋涂和高速旋涂,形成一层钙钛矿薄膜,然后真空干燥箱中真空干燥,得到有机无机杂化锡铅钙钛矿薄膜。优点是该方法制备过程简单,制备稳定性好,周期短、有效降低工艺成本;可降低铅元素含量,以减少对环境污染,产品的光吸收率较高,可以作为太阳能电池光吸收层材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 无机 杂化锡铅 混合 钙钛矿 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料的制备方法,所述有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料化学式为:CH3NH3PbxSn(1‑x)Br3,其中,0≤x≤1;其特征是:所述有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料的具体步骤如下:(1)清洗基片以FTO导电玻璃作为基片,用丙酮和无水乙醇清洗后,再用去离子水冲洗干净,烘干;(2)配制反应溶液将固体甲基溴化铵(CH3NH3Br)和固体溴化亚铅(PbBr2)、固体溴化亚锡(SnBr2)进行混合,加入到N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中,所述甲基溴化铵与溴化亚铅、溴化亚锡的摩尔比为1:x:(1‑x),所述甲基溴化铵与N,N‑二甲基甲酰胺的摩尔体积比为1:1mol/L~1:2mol/L,搅拌均匀,得到反应溶液;将反应溶液进行脉冲电磁场处理,脉冲电压为300V~700V,脉冲频率为1Hz~5Hz,脉冲时间60s~120s;(3)旋涂成膜将经脉冲处理的反应溶液滴加在导电玻璃基片上,分别进行低速旋涂和高速旋涂,形成一层厚度为500nm~1000nm的钙钛矿薄膜,其中,低速旋涂的转数为800r/min~1200r/min,旋涂时间为20s~30s;高速旋涂的转数为2500r/min~3500r/min,旋涂时间为30s~40s;(4)退火处理将步骤(3)中的旋涂好的液态膜放入真空干燥箱中,加热至70℃~90℃,保温30min~50min,关闭真空干燥箱电源,在真空干燥箱内自然冷却到室温,得到有机无机杂化锡铅钙钛矿薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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