[发明专利]一种防辐射的金属封装外壳的制备方法在审
申请号: | 201510369318.1 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN105140133A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 朱霞;高珺;胡国良 | 申请(专利权)人: | 苏州合欣美电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/053;H01L23/49;H01L23/552 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 许方 |
地址: | 215299 江苏省苏州市苏州高新技*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种防辐射的金属封装外壳的制备方法,改进了现有工艺流程,通过该制备工艺制备的金属封装外壳具备更可靠的保护性能,耐高温、耐腐蚀等特点,使得内部电路能在一个气密的环境下运行而不受水汽、其他有害气体或离子以及射线的干扰,延长使用寿命,解决了现有的塑料外壳气密性差、使用寿命短以及屏蔽性差的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 防辐射 金属 封装 外壳 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种防辐射的金属封装外壳的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:首先,将引线装入模具对应钎焊引线孔内,将焊料圈套于钎焊引线上,其次,将管座内腔朝上装入已经装好引线和焊料圈的模具凹槽中,并调节引线对准封接孔,将引线装入对应的封接孔内,然后,将绝缘子装入封接孔内,并用吹气囊对管座内腔进行清理,最后,将盖板封于管座上,并将模具压块盖好,进行烧结。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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