[发明专利]一种IGBT串联阀段的主动均压控制方法有效
申请号: | 201510369981.1 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN104967292B | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 赵东元;李卫国;蔚泉清;周舟 | 申请(专利权)人: | 国网智能电网研究院;国家电网公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 北京安博达知识产权代理有限公司11271 | 代理人: | 徐国文 |
地址: | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种IGBT串联阀段的主动均压控制方法,包括构建IGBT串联阀段的均压控制电路,向均压控制电路发送PWM调制信号,对IGBT串联阀段中的IGBT进行均压控制;IGBT串联阀段由第一IGBT和第二IGBT串联组成。与现有技术相比,本发明提供的一种IGBT串联阀段的主动均压控制方法,采用多重闭环控制方式,不仅可以保证串联器件间的动态均压性能,而且可以实现对IGBT的集电极电压变化速率的保护,防止开关过程中因集电极电压变化速率过大损坏IGBT。 | ||
搜索关键词: | 一种 igbt 串联 主动 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种IGBT串联阀段的主动均压控制方法,其特征在于,所述方法包括构建IGBT串联阀段的均压控制电路,向所述均压控制电路发送PWM调制信号,对所述IGBT串联阀段中的IGBT进行均压控制;所述IGBT串联阀段由第一IGBT和第二IGBT串联组成;所述均压控制电路包括IGBT驱动单元、缓冲器、运算放大器、集电极电压采样单元、集电极电压变化率采样单元和门极电压采样单元;所述IGBT驱动单元包括第一IGBT驱动单元和第二IGBT驱动单元;所述缓冲器包括第一缓冲器和第二缓冲器;所述运算放大器包括第一运算放大器、第二运算放大器、第三运算放大器和第四运算放大器;所述集电极电压采样单元包括第一集电极电压采样单元和第二集电极电压采样单元;所述集电极电压变化率采样单元包括第一集电极电压变化率采样单元和第二集电极电压变化率采样单元;所述门极电压采样单元包括第一门极电压采样单元和第二门极电压采样单元;所述第一运算放大器的同相输入端与所述第三运算放大器的输出端连接,所述第二运算放大器的同相输入端也与第三运算放大器的输出端连接;所述第三运算放大器的同相输入端与所述第四运算放大器的输出端连接,第三运算放大器的反向输入端接收PWM调制信号;所述第一运算放大器的反相输入端与所述第一门极电压采样单元连接;第一运算放大器的输出端与所述第一缓冲器连接;所述第二运算放大器的反相输入端与所述第二门极电压采样单元连接;第二运算放大器的输出端与所述第二缓冲器连接;所述第四运算放大器的同相输入端与所述第一集电极电压采样单元连接;第四运算放大器的反相输入端与所述第二集电极电压采样单元连接。
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H02 发电、变电或配电
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H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
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