[发明专利]包含硫族原子的半导体器件和制造方法有效
| 申请号： | 201510370090.8 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105321987B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | G·施密特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/12;H01L21/328;H01L21/334 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及包含硫族原子的半导体器件和制造方法。半导体器件包括具有第一表面和平行于该第一表面的第二表面的单晶半导体本体。该半导体本体包含磷族原子和/或氢原子的本底掺杂和硫族原子。硫族原子的浓度至少为1E12cm‑3。硫族原子与本底掺杂的原子之比在1:9至9:1范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 原子 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：单晶半导体本体，具有第一表面和与所述第一表面平行的第二表面，所述半导体本体包含：磷族原子的本底掺杂、和硫族原子，其中磷族原子的浓度为至少1E12cm‑3，并且硫族原子与所述本底掺杂的磷族原子的比率在1:9至9:1范围内；并且其中所述半导体本体包括漂移区域，所述漂移区域与所述第一表面平行地延伸、并且与所述第一表面和所述第二表面两者间隔开，其中在所述漂移区域中的有效掺杂剂浓度由在所述半导体本体中的所述磷族原子的本底掺杂和所述硫族原子限定。
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