[发明专利]用于防止极低k介电层在等离子体工艺期间被损害的方法

摘要

提供一种用于形成互连结构的方法。该方法包括提供衬底。该方法还包括在衬底上形成介电层，并且介电层包括极低k(ELK)介电层。该方法包括在介电层中形成通孔以及在通孔中和在介电层上形成光刻胶。该方法还包括通过使用CxHyOz气体的等离子体工艺去除光刻胶并且在通孔中形成导电结构。本发明还涉及用于防止极低k介电层在等离子体工艺期间被损害的方法。

主权项

1.一种用于形成互连结构的方法，包括：提供衬底，其中，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述衬底上形成介电层，其中，所述介电层包括极低k(ELK)介电层；在所述介电层上形成第一光刻胶(PR)结构；执行第一图案化工艺以在所述介电层上形成图案化的第一光刻胶结构；对所述介电层执行第一蚀刻工艺以在所述第一区域中的所述介电层中形成第一通孔；去除所述图案化的第一光刻胶结构；在所述第一通孔中和在所述介电层上形成第二光刻胶结构；执行第二图案化工艺以形成图案化的第二光刻胶结构；对所述介电层执行第二蚀刻工艺以在所述第二区域中的所述介电层中形成第二通孔；通过使用CxHyOz气体的等离子体工艺剥离所述图案化的第二光刻胶结构，其中，以脉冲方法执行所述等离子体工艺，在所述介电层的侧壁上形成钝化膜，脉冲方法包括依次地应用RF功率和零功率；执行湿清洗工艺以去除钝化膜；以及在所述第一通孔和所述第二通孔中填充导电材料。