[发明专利]P型GaN层及LED外延结构的制备方法有效
| 申请号： | 201510372034.8 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105047534B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 冯猛;陈立人;刘恒山 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种P型GaN层的制备方法，包括提供一基底，并放入反应室内，保持反应室内温度在650～800℃之间；反应室中充入NH3分压在10％～30％之间的包括NH3、N2混合气体的N源，再通入过量的MO源直至富余的MO源吸附在基底表面，所述MO源包括Ga源和Mg源；保持MO源关闭，增加所述N源中NH3分压至30％～70％与吸附在基底表面的富余MO反应，生长p型GaN层；保持MO源和NH3关闭，反应室内保持N2气氛10～30秒，使Mg在退火过程中活化。发明还公开了一种LED外延结构的制备方法。本发明中P型GaN层采用MO源间歇式通入，NH3高低分压循环的低温生长模式，大幅提升了P型GaN层中的空穴浓度，同时Mg的活化效率也得到了提升。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种P型GaN层的制备方法，其特征在于，所述方法包括：S01、提供一基底，并放入反应室内，保持反应室内温度在650～800℃之间；S02、反应室中充入NH3分压在10％～30％之间的包括NH3、N2混合气体的N源，再通入过量的MO源直至富余的MO源吸附在基底表面，所述MO源包括Ga源和Mg源；S03、保持MO源关闭，增加所述N源中NH3分压至30％～70％与吸附在基底表面的富余MO反应，生长p型GaN层；S04、保持MO源和NH3关闭，反应室内保持N2气氛10～30秒，使Mg在退火过程中活化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聚灿光电科技股份有限公司，未经聚灿光电科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510372034.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
