[发明专利]形成半导体结构的方法

摘要

提供了一种半导体结构及其形成方法。用于制造半导体结构的方法包括：在衬底上方形成源极/漏极结构和在源极/漏极结构上形成金属层。用于制造半导体结构的方法还包括：使金属层的部分与源极/漏极结构反应以在源极/漏极结构上形成金属化层。用于制造半导体结构的方法还包括通过蚀刻工艺去除位于金属化层上的金属层的未反应部分。此外，蚀刻工艺包括使用包含HF和碳酸丙烯酯的蚀刻剂，并且在蚀刻剂中HF与碳酸丙烯酯的体积比在从约1：10至约1:10000的范围内。本发明涉及形成半导体结构的方法。

主权项

1.一种用于制造半导体结构的方法，包括：在衬底上方形成源极/漏极结构；在所述源极/漏极结构上形成金属层；使所述金属层的部分与所述源极/漏极结构反应以在所述源极/漏极结构上形成金属化层；以及通过蚀刻工艺去除所述金属化层上的所述金属层的未反应部分；其中，所述蚀刻工艺包括使用包含HF和碳酸丙烯酯的蚀刻剂，并且在所述蚀刻剂中，HF与碳酸丙烯酯的体积比在从1：10至1:10000的范围内。