[发明专利]发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201510372561.9 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104993027B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李昱桦;乔楠;陈柏松;胡加辉;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括衬底、依次形成在所述衬底上的非掺杂层、N型层、N型电流扩展层、多量子阱层和P型层，所述N型电流扩展层包括AlGaN/n‑GaN超晶格结构，所述AlGaN/n‑GaN超晶格结构中AlGaN子层的Al的含量沿所述外延片的生长方向逐层增加，所述AlGaN子层中Al的含量为10％—80％。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片，包括衬底、依次形成在所述衬底上的非掺杂层、N型层、N型电流扩展层、多量子阱层和P型层，其特征在于，所述N型电流扩展层包括AlGaN/n‑GaN超晶格结构，所述AlGaN/n‑GaN超晶格结构中AlGaN子层的Al的含量沿所述外延片的生长方向逐层增加，所述AlGaN子层中Al的含量为10％—80％，距离所述衬底最近的所述AlGaN子层的Al的含量为20％，且相邻的两个所述AlGaN子层的Al的含量差为10％。
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