[发明专利]一种生物质基多孔碳化硅吸波材料的制备方法

摘要

一种生物质基多孔碳化硅吸波材料的制备方法，它属于多孔材料制备领域，具体涉及一种生物质基多孔碳化硅材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有碳化硅吸波材料的制备方法存在可重性差，操作复杂，且碳化硅吸波材料存在吸波性能差，有效吸波频段较窄的问题。制备方法一、真空冷冻干燥得到真空干燥后的生物质；二、碳化处理得到多孔碳材料；三、烧结得到生物质基多孔碳化硅吸波材料。优点本发明制备的生物质基多孔碳化硅吸波材料呈三维连通网络结构，使材料具有宽频、强吸收特性。本发明主要用于制备生物质基多孔碳化硅吸波材料。

主权项

一种生物质基多孔碳化硅吸波材料的制备方法，其特征在于生物质基多孔碳化硅吸波材料的制备方法是按以下步骤制备的：一、真空冷冻干燥：块状生物质在温度为‑45～‑40℃真空冷冻干燥24h～96h，得到真空干燥后的生物质；二、碳化处理：将真空干燥后的生物质置于管式炉中，然后以气体流速为10mL/min～60mL/min向管式炉中通入氩气，在氩气气氛保护条件下烧结，先以升温速率为2℃/min从室温升温至500℃，并在500℃保温1h～8h，然后以升温速率为5℃/min从500℃升温至1000～1600℃，并在温度为1000～1600℃下烧结碳化处理1h～8h，降至室温后得到多孔碳材料；三、烧结：将硅粉均匀铺平，然后将多孔碳材料置于硅粉上，放入管式炉中，然后以气体流速为10mL/min～60mL/min向管式炉中通入氩气，在氩气气氛保护条件下烧结，先以升温速率为5℃/min从室温升温至500℃，再以升温速率为10℃/min从500℃升温至800℃，然后以升温速率为5℃/min从800℃升温至1000℃，最后以升温速率为3℃/min从1000℃升温至1300℃～1800℃，并在温度为1300℃～1800℃下烧结1h～8h，得到生物质基多孔碳化硅吸波材料；步骤一中所述的块状生物质为块状苹果果肉、块状梨果肉或块状去皮香瓜；步骤三中所述的多孔碳材料与硅粉的质量比为1:(1～12)；步骤三中所述的生物质基多孔碳化硅吸波材料表面无SiO2包覆层，吸波性能达到‑35dB，有效吸波频率为4GHz，RL<‑10dB，‑10dB相当于吸收90％的电磁波。