[发明专利]一种无残余应力薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510373878.4 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104928626A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 苏建丽 | 申请（专利权）人： | 青岛文创科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 钟廷良 |
| 地址： | 266061 山东省青岛市崂山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无残余应力薄膜的制备方法，属于薄膜制备方法的技术领域。本发明的无残余应力薄膜为金属薄膜，所述金属薄膜利用PVD或者CVD薄膜溅射或者沉积在单晶晶体上；然后将薄膜试样置于薄膜支架上；将带有试样的薄膜支架放置于能够溶解晶体的溶液中并使晶体溶解；最后经干燥、固定薄膜试样，得无残余应力薄膜。本发明获得的无残余应力的试样薄膜与基底结合的界面应力完全去除，且纳米压痕试验过程中，薄膜能够无底面支撑，以避免底面对测量结果产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 残余 应力 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无残余应力薄膜的制备方法，其具体步骤如下：(1)利用PVD或者CVD薄膜溅射或者沉积在单晶晶体上；(2)将薄膜试样置于薄膜支架上；(3)将带有试样的薄膜支架放置于能够溶解晶体的溶液中并使晶体溶解；(4)干燥、固定薄膜试样，得无残余应力薄膜。
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