[发明专利]负电压位线写辅助SRAM电路及方法有效
| 申请号： | 201510374001.7 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106328191B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王林 | 申请（专利权）人： | 展讯通信（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种静态随机存储器。负电压位线写辅助SRAM电路，包括，N个SRAM存储单元，每一SRAM存储单元连接一第一位线和一第二位线；第一晶体管，于第一写使能信号的作用下导通或关断第一位线与地电压；第二晶体管，于第二写使能信号的作用下导通或关断第二位线与地电压；比较单元，于使能信号的作用下比较第一位线和第二位线的电压差，并输出第一信号和第二信号；第一信号与第一位线之间连接一第一耦合电容，第二信号与第二位线之间连接一第二耦合电容，第一信号在第一位线上耦合产生负电压或第二信号在第二位线上耦合产生负电压。本发明无需为位线负电压电路单独设计控制电路，电路简单并且节省电路面积。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 位线写 辅助 sram 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.负电压位线写辅助SRAM电路，其特征在于，包括，N个SRAM存储单元，每一所述SRAM存储单元连接一第一位线和一第二位线；一第一晶体管，于一第一写使能信号的作用下导通或关断所述第一位线与地电压；一第二晶体管，于一第二写使能信号的作用下导通或关断所述第二位线与所述地电压；一比较单元，于一使能信号的作用下比较所述第一位线和所述第二位线的电压差，并输出第一信号和第二信号；所述第一信号与所述第一位线之间连接一第一耦合电容，所述第二信号与所述第二位线之间连接一第二耦合电容，所述第一信号于第一设定条件下在所述第一位线上耦合产生一负电压或所述第二信号于第二设定条件下在所述第二位线上耦合产生一负电压。
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