[发明专利]鳍式场效应晶体管结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510374012.5 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104934480B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管结构及其制作方法。该鳍式场效应晶体管结构制作方法包括通过光刻及刻蚀在衬底上形成初始凹槽；在初始凹槽内外延生长至少包含相互间隔开的第一材料层和第二材料层的U型薄膜叠层结构；在U型薄膜叠层结构的凹进部填充第三材料；对第三材料和硅U型薄膜叠层结构进行刻蚀，从而暴露出衬底；进一步刻蚀衬底和第二材料层，从而暴露出由第一材料层形成的鳍状结构。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管结构制作方法，其特征在于包括：第一步骤：通过光刻及刻蚀在衬底上形成初始凹槽；第二步骤：在初始凹槽内外延生长至少包含相互间隔开的第一材料层和第二材料层的U型薄膜叠层结构，第一材料层被第二材料层相互间隔开；第三步骤：在U型薄膜叠层结构的凹进部填充第三材料；第四步骤：对第三材料和U型薄膜叠层结构进行部分去除，从而暴露出衬底；第五步骤：进一步对衬底和第二材料层进行部分去除，从而暴露出由第一材料层形成的鳍状结构。
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