[发明专利]自动触发的负电压位线写辅助SRAM电路及方法有效
| 申请号： | 201510375546.X | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106328192B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王林 | 申请（专利权）人： | 展讯通信（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 自动触发的负电压位线写辅助SRAM电路，具体涉及静态随机存储器，包括N个SRAM存储单元，每一SRAM存储单元连接第一位线和第二位线；第一位线沿存储单元的排列方向设于存储单元的同一边，第二位线于第一位线相对的另一边设置；第一晶体管于第一写使能信号线的信号作用下导通或关断第一位线与地电压；第二晶体管于第二写使能信号线的信号作用下导通或关断第二位线与地电压；第一写使能信号线与第一位线相隔设定距离平行设置以产生第一寄生电容，第一设定条件下在第一位线上耦合产生负电压；第二写使能信号线与第二位线相隔设定距离平行设置以产生第二寄生电容，第二设定条件下在第二位线上耦合产生负电压。本发明能够实现写辅助，电路简单并节省电路面积。 | ||
| 搜索关键词： | 自动 触发 电压 位线写 辅助 sram 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.自动触发的负电压位线写辅助SRAM电路，其特征在于，包括，N个SRAM存储单元，每一所述SRAM存储单元连接一第一位线和一第二位线；所述第一位线沿N个所述SRAM存储单元的排列方向设置并位于所述SRAM存储单元的同一边，所述第二位线沿N个所述SRAM存储单元的排列方向上与所述第一位线相对的另一边设置；第一晶体管，于一第一写使能信号线的信号作用下导通或关断所述第一位线与地电压；第二晶体管，于一第二写使能信号线的信号作用下导通或关断所述第二位线与所述地电压；所述第一写使能信号线与所述第一位线相隔设定距离平行设置以产生第一寄生电容，以所述第一寄生电容作为第一耦合电容，在第一设定条件下在所述第一位线上耦合产生一负电压；所述第二写使能信号线与所述第二位线相隔设定距离平行设置以产生第二寄生电容，以所述第二寄生电容作为第二耦合电容，在第二设定条件下在所述第二位线上耦合产生一负电压；所述第一设定条件为：在写入数据0时，所述第一写使能信号线的信号由低电压变为高电压，所述第一晶体管导通，所述第一位线被下拉至地电压；所述第一写使能信号线的信号由高电压变为低电压，所述第一位线与所述地电压断开，所述第一写使能信号线的低电压通过所述第一耦合电容在所述第一位线上耦合得到一负电压；所述第二设定条件为：在写入数据1时，所述第二写使能信号线的信号由低电压变为高电压，所述第二晶体管导通，所述第二位线被下拉至地电压；所述第二写使能信号线的信号由高电压变为低电压，所述第二位线与所述地电压断开，所述第二写使能信号线的低电压通过所述第二耦合电容在所述第二位线上耦合得到一负电压。
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