[发明专利]一种平移非易失性存储器NVM的数据的方法及装置有效
| 申请号： | 201510376718.5 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106326135B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 杨任花;赵俊峰;杨伟;肖世海;林殷茵;韦祎 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司;复旦大学 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种平移非易失性存储器NVM的数据的方法，包括：将动态随机存取存储器DRAM中存储的第一数据映射到非易失性存储器NVM的第一行地址，所述第一数据包括静态数据，所述静态数据为擦写频率小于预设频率的数据；记录映射后的NVM被擦写的次数；若所述映射后的NVM被擦写的次数大于或等于预设次数，则按照预设规则平移所述第一行地址中存储的所述第一数据。本发明还公开了一种平移非易失性存储器NVM的数据的装置。采用本发明，可减少NVM中存储数据的行地址的擦写次数，提高NVM的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平移 非易失性存储器 nvm 数据 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种平移非易失性存储器NVM的数据的方法，其特征在于，包括：将动态随机存取存储器DRAM中存储的第一数据映射到非易失性存储器NVM的第一行地址，所述第一数据包括静态数据，所述静态数据为擦写频率小于预设频率的数据；记录映射后的NVM被擦写的次数；若所述映射后的NVM被擦写的次数大于或等于预设次数，则按照预设规则平移所述第一行地址中存储的所述第一数据。
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