[发明专利]电阻式存储器装置的写入方法有效
| 申请号： | 201510377405.1 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN106328196B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈达;林孟弘 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种电阻式存储器装置的写入方法。此方法接收逻辑数据，并选择对应的选择存储单元。接着，判断逻辑数据的逻辑电平。当逻辑数据为第一逻辑电平时，在写入期间，先提供重置脉冲至选择存储单元，再提供小于参考写入电流且脉冲宽度为类矩脉冲宽度的设定脉冲至选择存储单元。当逻辑数据为第二逻辑电平时，在写入期间，先提供重置脉冲至选择存储单元，再提供大于参考写入电流且脉冲宽度为类矩脉冲宽度的设定脉冲至选择存储单元。在高温环境下，可避免对应低电阻状态与高电阻状态的读取电流范围互相重叠，从而造成读取数据时对于逻辑电平的误判。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 选择存储单元 逻辑数据 电阻式存储器装置 逻辑电平 写入电流 写入期间 重置脉冲 写入 低电阻状态 高电阻状态 读取电流 高温环境 互相重叠 判断逻辑 参考 误判 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储器装置的写入方法，其特征在于，包括：接收一逻辑数据，并选择对应的一选择存储单元；判断该逻辑数据的逻辑电平；当该逻辑数据为一第一逻辑电平时，在一写入期间，先提供一重置脉冲至该选择存储单元，再提供小于一参考写入电流且具有一类矩脉冲的一设定脉冲至该选择存储单元，接着施加一读取电压至该选择存储单元，并且判断所产生的一测试电流是否小于一参考电流，当该测试电流未小于该参考电流，重新提供该重置脉冲至该选择存储单元，再提供小于该参考写入电流且具有该类矩脉冲的该设定脉冲至该选择存储单元；以及当该逻辑数据为一第二逻辑电平时，在该写入期间，先提供该重置脉冲至该选择存储单元，再提供大于该参考写入电流且具有该类矩脉冲的一设定脉冲至该选择存储单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510377405.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种移动终端屏幕的解锁方法及移动终端
- 下一篇：一种清肝泻火的组合物
