[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在其上依次沉积第一牺牲层和第二牺牲层；在第二牺牲层和第一牺牲层中形成开口，在开口内侧形成牺牲侧壁；在开口底面形成第三牺牲层，并形成第四牺牲层，填充开口的剩余部分；去除牺牲侧壁，并实施离子注入，在露出的半导体衬底中形成注入离子区；去除第二牺牲层、第三牺牲层和第四牺牲层；在露出的开口中形成第一栅极结构；去除第一牺牲层，在第一栅极结构上形成第二栅极结构；在第一栅极结构和第二栅极结构的两侧形成侧壁结构，在半导体衬底中形成源/漏区。根据本发明，当源/漏区注入离子的浓度升高时，可以避免由GIDL电流增大所导致的栅极击穿电压的降低。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次沉积第一牺牲层和第二牺牲层；在所述第二牺牲层和所述第一牺牲层中形成开口，在所述开口的内侧形成牺牲侧壁；在所述开口的底面形成第三牺牲层，并形成第四牺牲层，以填充所述开口的剩余部分；去除所述牺牲侧壁，并实施离子注入，以在露出的所述半导体衬底中形成注入离子区；去除所述第二牺牲层、所述第三牺牲层和所述第四牺牲层；在露出的所述开口中形成第一栅极结构；去除所述第一牺牲层，并在所述第一栅极结构上形成第二栅极结构。