[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201510377833.4 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN106328505B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 朱红波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L29/78;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域的半导体衬底上形成第一栅极结构，在所述第二区域的半导体衬底上形成第二栅极结构；形成覆盖所述第二区域的半导体衬底和第二栅极结构的第一光刻胶层；形成覆盖所述第一区域的半导体衬底和第一光刻胶层的第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为阻挡层，对第一区域的第一栅极结构两侧的半导体衬底进行浅掺杂离子注入，在第一栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一浅掺杂区。本发明的方法适于形成深度较浅的浅掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域的半导体衬底上形成第一栅极结构，在所述第二区域的半导体衬底上形成第二栅极结构；形成覆盖所述第二区域的半导体衬底和第二栅极结构的第一光刻胶层；形成覆盖所述第一区域的半导体衬底和第一光刻胶层的第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为阻挡层，对第一区域的第一栅极结构两侧的半导体衬底进行浅掺杂离子注入，在第一栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一浅掺杂区；所述第二光刻胶层的厚度满足：T＝(D1‑(15～35))*D2/D1，其中T表示第二光光刻胶层的厚度，D1表示杂质离子在1.5Kev～3.0Kev能量下在半导体衬底材料中的注入深度，D2表示杂质离子在1.5Kev～3.0Kev能量下在第二光刻胶层中的注入深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
