[发明专利]氮化镓基低漏电流悬臂梁的环形振荡器及制备方法

摘要

本发明的氮化镓基低漏电流悬臂梁的环形振荡器由三个倒相器首尾相连而构成，该环形振荡器基于GaN衬底，其中的N型MESFET和P型MESFET的栅极是悬浮在P型GaAs衬底上方的悬臂梁，该悬臂梁是Au材料制作，在悬臂梁下方有一个下拉电极，其中N型MESFET悬臂梁下方的下拉电极接地，而P型MESFET悬臂梁下方的下拉电极接电源，当MESFET悬臂梁与下拉电极间的电压小于阈值电压绝对值的时候，悬臂梁不会牵引下来，此时悬臂梁与栅极之间有一层空气间隙，从而导致MESFET不能够导通，这样栅极漏电流就得到了很好的抑制；当MESFET的悬臂梁与下拉电极间的电压大于阈值电压绝对值的时候，悬臂梁才会吸附至栅极上，MESFET就此导通。

主权项

一种氮化镓基低漏电流悬臂梁的环形振荡器，其特征在于该振荡器由三个倒相器构成的，它们首尾相接构成环状，整个环形振荡器是基于半绝缘型GaN衬底(15)制作的，三个倒相器通过引线(3)实现互连，每个倒相器由悬臂梁N型MESFET和悬臂梁P型MESFET组成，该N型MESFET(17)和P型MESFET(16)的悬臂梁(5)悬在栅极(14)上，悬臂梁的锚区(4)淀积在半绝缘型GaN衬底(15)上，在悬臂梁(5)下方有一个下拉电极(6)，分布在栅极(14)与锚区(4)之间，其中N型MESFET(17)悬臂梁(5)下方的N型MESFET的下拉电极(6b)是接地的，而P型MESFET(16)悬臂梁(5)下方的P型MESFET的下拉电极(6a)是接电源的，下拉电极(6)上覆盖有氮化硅介质层(7)。