[发明专利]氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管倒相器及制备方法

摘要

本发明是一种氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管倒相器及制备方法，该GaN基低漏电流固支梁MESFET倒相器由固支梁N型MESFET和固支梁P型MESFET构成。该倒相器的MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方设计了固支梁结构。固支梁下方设计了电极板。固支梁的下拉电压设计为等于型MESFET的阈值电压的绝对值。当在固支梁与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，固支梁是悬浮在栅极的上方，此时栅极处是断路的，MESFET也没有导通，而只有在固支梁与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，固支梁才会被下拉到贴在栅极上，栅极与固支梁短接，从而使MESFET导通。本发明在工作中增大了栅极的阻抗，减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。

主权项

一种氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管倒相器，其特征是该倒相器由固支梁N型MESFET（1）和固支梁P型MESFET（2）构成，该倒相器中的MESFET制作在半绝缘GaN衬底（3）上，其输入引线（4）利用金制作, 固支梁N型MESFET（1）的源极(12)接地，固支梁P型MESFET的源极(13)接电源，固支梁N型MESFET（1）的漏极(15)与固支梁P型MESFET（2）的漏极(16)短接，固支梁N型MESFET（1）和固支梁P型MESFET（2）的栅极（5）与有源层形成肖特基接触，在栅极（5）上方设计了固支梁（6），两个MESFET的固支梁（6）短接，固支梁（6）两个锚区（7）制作在半绝缘GaN衬底（3）上，在每个固支梁（6）下方设计了两个电极板（8），电极板（8）的上方覆盖有氮化硅层（9），每个MESFET的电极板（8）与该MESFET的源极短接 。