[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器

摘要

本发明的硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器，由三个固支梁栅NMOS管，一个固支梁栅PMOS管，恒流源和LC回路构成。三个固支梁栅NMOS区别仅在于它们的固支梁栅的形状不同，第一固支梁栅NMOS管(1)的固支梁栅为宽梁，第二固支梁栅NMOS管和第三固支梁栅NMOS管的固支梁栅为窄梁。该功率放大器的固支梁栅MOS管是制作在Si衬底上，其栅极是依靠锚区的支撑悬浮在栅氧化层上方的，形成固支梁结构。当固支梁栅MOS管关断，固支梁处于悬浮状态，也就没有栅极漏电流，从而降低了电路的功耗，该交叉耦合的固支梁栅MOS管能够提供负阻给LC回路，从而补偿LC回路中电感的寄生电阻，从而提高本发明的乙类推挽功放输出端LC回路的品质因素。

主权项

一种硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器，其特征是该放大器由第一固支梁栅NMOS管(1)、第二固支梁栅NMOS管(15)、第三固支梁栅NMOS管(16)、固支梁栅PMOS管(2)、恒流源(14)和LC回路构成，该功率放大器中的固支梁栅MOS管制作在P型Si衬底(3)上，其输入引线(4)都是利用多晶硅制作，固支梁栅MOS管的栅极依靠锚区(7)的支撑悬浮在栅氧化层(5)上方，形成固支梁栅(6)，固支梁栅(6)由Al制作,固支梁栅(6)的锚区(7)制作在栅氧化层(5)上，固支梁栅(6)下方设计有下拉电极板(8)，第一固支梁栅NMOS管(1)的下拉电极板(8)通过高频扼流圈与电源‑V2相连，固支梁栅PMOS管(2)的下拉电极板(8)通过高频扼流圈与电源+V2相连，第二固支梁栅NMOS管(15)和第三固支梁栅NMOS管(16)的下拉电极板(8)接地，第一固支梁栅NMOS管(1)的漏极(11)通过高频扼流圈接+V1，固支梁栅PMOS管(2)的漏极(18)通过高频扼流圈接‑V1，第一固支梁栅NMOS管(1)和固支梁栅PMOS管(2)的固支梁栅(6)通过引线(4)连在一起作为该乙类推挽功率放大器的输入端vi，第一固支梁栅NMOS管(1)的源极与固支梁栅PMOS管(2)的源极连在一起作为输出端vo，输出端通过一个隔直流电容与LC回路、交叉耦合的第二固支梁栅MOS管(15)和第三固支梁栅MOS管(16)相连，LC回路一端与第三固支梁栅NMOS管(16)的漏极(11)相连，第三固支梁栅NMOS管(16)的漏极(11)通过引线(10)和锚区(7)与第二固支梁栅NMOS管(15)的固支梁栅(6)连在一起并通过高频扼流圈与+V3相连，LC回路的另一端与第二固支梁栅NMOS管(15)的漏极(11)相连，第二固支梁栅NMOS管(15)的漏极(11)通过引线(10)和锚区(7)与第三固支梁栅NMOS管(16)的固支梁栅(6)连接一起并通过高频扼流圈与+V3相连，第二固支梁栅NMOS管(15)的源极(12)与第三固支梁栅NMOS管(16)的源极(12)连在一起并与恒流源相连，恒流源的另一端接地，第一固支梁栅NMOS管(1)的固支梁栅(6)为宽梁，第二固支梁栅NMOS管(15)和第三固支梁栅NMOS管(16)的固支梁栅(6)为窄梁。