[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器及制备方法

摘要

本发明是一种硅基低漏电流固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器及制备方法，用具有固支梁栅的MOS管代替传统的MOS管。固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器由交叉耦合的固支梁栅NMOS管，谐振LC回路和恒流源构成。该交叉耦合振荡器中的固支梁栅NMOS管是制作在P型Si衬底上，该固支梁栅MOS管的栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成固支梁栅，固支梁栅下方设计有下拉电极板，下拉电极板接地，固支梁栅的锚区用多晶硅制作在栅氧化层上，该交叉耦合振荡器中的固支梁栅MOS管关断时，固支梁栅是悬浮的，栅极氧化层中的场强比较小，因此该振荡器在工作时的栅极漏电流大大减小,从而使得该硅基固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器的功耗得到有效的降低。

主权项

一种硅基低漏电流固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器，其特征在于该振荡器由第一固支梁栅NMOS管(1)、第二固支梁栅NMOS管(2)、LC谐振回路和恒流源(11)组成,该交叉耦合振荡器中的第一固支梁栅NMOS管(1)、第二固支梁栅NMOS管(2)制作在P型Si衬底(3)上，其栅极依靠锚区(7)的支撑悬浮在栅氧化层(5)上方形成固支梁栅(6)，固支梁栅(6)的两个锚区(7)用多晶硅制作在栅氧化层(5)上，固支梁栅(6)下方设计有下拉电极板(8)，下拉电极板(8)接地，第一固支梁栅NMOS管(1)和第二固支梁栅NMOS管(2)的N+有源区源极(13)通过通孔(9)与引线(10)连在一起并与恒流源(11)相连，恒流源(11)另一端接地，第一固支梁栅NMOS管(1)的N+有源区漏极(12)通过锚区(7)、通孔(9)和引线(10)与第二固支梁栅NMOS管(2)的固支梁栅(6)连接，第二固支梁栅NMOS管(2)的N+有源区漏极(12)通过锚区(7)、通孔(9)和引线(10)与第一固支梁栅NMOS管(1)的固支梁栅(6)连接，从而形成交叉耦合结构，LC谐振回路接在第一固支梁栅NMOS管(1)、第二固支梁栅NMOS管(2)的N+有源区漏极(12)之间；通过设计使第一固支梁栅NMOS管(1)和第二固支梁栅NMOS管(2)的阈值电压相等，并使固支梁栅(6)的下拉电压与第一固支梁栅NMOS管(1)和第二固支梁栅NMOS管(2)的阈值电压相等，在固支梁栅(6)和下拉电极板(8)之间的电压小于阈值电压，固支梁栅(6)是悬浮在栅氧化层(5)上方，此时的栅极电容较小；硅基固支梁栅MOS管交叉耦合振荡器产生稳定振荡后，第一固支梁栅NMOS管(1)和第二固支梁栅NMOS管(2)交替导通与截止，当固支梁栅MOS管截止时，固支梁栅(6)是悬浮的，栅氧化层(5)中的场强比较小，栅极漏电流很小。