[发明专利]氮化镓基低漏电流悬臂梁开关场效应晶体管或非门

摘要

本发明的氮化镓基低漏电流悬臂梁开关场效应晶体管或非门，其特征在于该或非门由第一场效应晶体管(1)和第二场效应晶体管(2)以及一个负载电阻(3)组成，两个场效应晶体管的源极接在一起并共同接地，漏极也连接在一起并且共同通过电阻(3)接电源VCC，第一输入信号(A)和第二输入信号(B)分别通过锚区(7)在第一场效应晶体管(1)和第二场效应晶体管(2)的悬臂梁开关(5)上输入，输出信号在第一场效应晶体管(1)和第二场效应晶体管(2)的漏极与负载电阻(3)之间输出；引线(4)由金属构成，悬臂梁开关(5)的一端固定在锚区(7)上，另一端悬浮在MESFET的栅极(6)之上，减小了或非门的功耗。

主权项

一种氮化镓基低漏电流悬臂梁开关场效应晶体管或非门，其特征在于该或非门由两个具有悬臂梁开关的N型MESFET即第一场效应晶体管(1)和第二场效应晶体管(2)以及一个负载电阻(3)组成，第一场效应晶体管(1)和第二场效应晶体管(2)的源极接在一起并共同接地，漏极也连接在一起并且共同通过电阻(3)接电源VCC，第一输入信号(A)和第二输入信号(B)分别通过锚区(7)在第一场效应晶体管(1)和第二场效应晶体管(2)的悬臂梁开关(5)上输入，输出信号在第一场效应晶体管(1)和第二场效应晶体管(2)的漏极与负载电阻(3)之间输出；引线(4)由金属构成，悬臂梁开关(5)的一端固定在锚区(7)上，另一端悬浮在MESFET的栅极(6)之上，该悬臂梁开关(5)由钛/金/钛组成，MESFET由栅极(6)、源极和漏极构成，其中源极和漏极由金属和重掺杂N区形成欧姆接触构成，栅极(6)由金属和沟道区形成肖特基接触构成，锚区(7)制作在P型氮化镓衬底(11)上，N型有源区(9)构成源极和漏极，在悬臂梁开关(5)与P型氮化镓衬底(11)之间存在下拉电极(10)，下拉电极(10)由氮化硅覆盖，下拉电极(10)接地；所述的第一场效应晶体管(1)和第二场效应晶体管(2)的悬臂梁开关(5)是悬浮在其栅极(6)之上的，N型MESFET的栅极(6)与P型氮化镓衬底(11)之间形成了肖特基接触，在栅极(6)下方的P型氮化镓衬底(11)中形成耗尽层，该N型MESFET的悬臂梁开关(5)的下拉电压设计为与MESFET的阈值电压相等，当加载在悬臂梁开关(5)与下拉电极(10)之间的电压大于MESFET的阈值电压时，悬臂梁开关(5)下拉与栅极(6)紧贴，N型MESFET的耗尽区厚度减小并导通；当悬臂梁开关(5)与下拉电极(10)之间所加电压小于MESFET的阈值电压时，悬臂梁开关(5)就不能下拉，其栅极(6)上就不存在电压，所以该N型MESFET就不能导通，那么栅极漏电流就不会存在，这样就减小了或非门的功耗。