[发明专利]金属氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管、制备方法及装置有效
| 申请号： | 201510379122.0 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105118854B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 袁广才;闫梁臣;徐晓光;王磊;彭俊彪;兰林锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/26 | 分类号： | H01L29/26;H01L21/02;H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管、制备方法及装置，属于平板显示领域。所述金属氧化物半导体薄膜的成分为金属氧化物；所述金属氧化物包括第一金属元素、第二金属元素和第三金属元素；所述第一金属元素为钪元素、钇元素、稀土元素、铝元素和铟元素中的至少一者；所述第二金属元素为钙元素、锶元素和钡元素中的至少一者；所述第三金属元素为钛元素和锡元素中的至少一者。本发明能够提高薄膜晶体管的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 薄膜 薄膜晶体管 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述金属氧化物半导体薄膜的成分为金属氧化物；所述金属氧化物包括第一金属元素、第二金属元素和第三金属元素；所述第一金属元素为钪元素、钇元素、稀土元素、铝元素和铟元素中的至少一者；所述第二金属元素为钙元素、锶元素和钡元素中的至少一者；所述第三金属元素为钛元素和锡元素中的至少一者；所述金属氧化物半导体薄膜具有由多种结晶相组成的混合相。
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