[发明专利]氮化镓基低漏电流固支梁的与非门

摘要

本发明的氮化镓基低漏电流固支梁的与非门制作在半绝缘型GaN衬底(1)上，由两个N型沟道MESFET(11)和电阻R顺序串联所构成，该N型沟道MESFET(11)包括源极、漏极、栅极和沟道，这两个N沟道MESFET(11)具有悬浮的固支梁(4)，该固支梁(4)的两端固定在锚区(2)上，中间横跨在栅极(10)上方且与栅极(10)之间有一间隙，偏置信号连接到固支梁(4)上，固支梁(4)由Au材料制作的，在固支梁(4)下方设有两个下拉电极(5)，下拉电极(5)是接地的，其上还覆盖有氮化硅介质层(6)，这种结构可以大大减小栅极泄漏电流，从而降低器件的功耗。

主权项

一种氮化镓基低漏电流固支梁的与非门，其特征在于该与非门制作在半绝缘型GaN衬底(1)上，由两个N型沟道MESFET(11)和电阻R顺序串联所构成，该N型沟道MESFET(11)包括源极、漏极、栅极和沟道，这两个N沟道MESFET(11)具有悬浮的固支梁(4)，该固支梁(4)的两端固定在锚区(2)上，中间横跨在栅极(10)上方且与栅极(10)之间有一间隙，偏置信号连接到固支梁(4)上，固支梁(4)由Au材料制作的，在固支梁(4)下方设有两个下拉电极(5)，下拉电极(5)是接地的，其上还覆盖有氮化硅介质层(6)，这种结构可以大大减小栅极泄漏电流，从而降低器件的功耗；氮化镓基低漏电流固支梁的与非门中两个N型沟道MESFET(11)的阈值电压设计为相等，而固支梁的下拉电压设计为与N型沟道MESFET(11)的阈值电压相等；只有当N型沟道MESFET(11)的固支梁(4)与下拉电极之间的电压大于阈值电压时，悬浮的固支梁(4)才会下拉贴至栅极(10)上使得N型沟道MESFET(11)导通，否则N型沟道MESFET(11)就截止；氮化镓基低漏电流固支梁的与非门中两个N型沟道MESFET(11)的固支梁(4)上都存在高电平时，N型沟道MESFET(11)的固支梁(4)就会下拉并使其导通，此时输出低电平；当两个N型沟道MESFET(11)的固支梁(4)上分别出现一高电平和一低电平时，只有一个N型沟道MESFET(11)的固支梁(4)会下拉，电路无法形成回路，此时输出高电平；当两个N型沟道MESFET(11)的固支梁(4)上都存在低电平时，N型沟道MESFET(11)的固支梁(4)还是处于悬浮状态，没有导通，因此输出高电平。