[发明专利]基于硅基低漏电流双悬臂梁可动栅或非门的RS触发器

摘要

本发明的基于硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOSFET或非门的RS触发器，原理和结构简单，由基于Si基低漏电流双悬臂梁可动栅MOSFET实现的或非门电路构成RS触发器，降低成本的同时减小了功耗。由于悬臂梁结构在非工作状态时的漏电流极低，有效地降低了功耗。在MOSFET沟道上方对称设计的两个悬臂梁作为可动栅极，在悬臂梁下方各有一个下拉电极，下拉电极上覆盖着一层绝缘的氮化硅介质层。当MOSFET两个输入为低电平时，悬臂梁都处于悬浮状态，MOSFET处于非导通状态，漏极输出为高电平；当至少一个输入端为高电平时，高电平对应的悬臂梁被下拉，此时MOSFET处于导通状态，漏极输出为低电平，从而实现了或非门逻辑功能。

主权项

一种基于硅基低漏电流双悬臂梁可动栅或非门的RS触发器，其特征是： 该RS触发器的两个悬臂梁可动栅N型MOSFET制作在P型Si衬底（1）上，沟道栅氧化层（2）的上方有两个对称设计的悬臂梁（9），材料为Au，作为MOSFET的可动栅，其下拉电压设置为MOSFET的阈值电压，悬臂梁（9）的一端固定在锚区（6）上，锚区（6）与输入引线（5）相连，作为信号的输入端，悬臂梁（9）的另一端悬浮在沟道栅氧化层（2）和下拉电极（4）上，锚区（6）和输入引线（5）的制备材料为多晶Si，下拉电极（4）上覆盖一层绝缘的氮化硅介质层（3）；其中左边的一个N型MOSFET的输入引线（5）与上拉电阻（12）相连作为一个输出端，相应的，另一个N型MOSFET的输入引线（5）与上拉电阻（12）相连作为另一个输出端Q，源极（7）接地，实现或非门逻辑功能，当两个悬臂梁（9）的输入引线都输入低电平时，悬臂梁（9）处于悬浮态，沟道处于非导通状态，漏极（8）输出为高电平；当至少一个悬臂梁（9）的输入引线（5）上输入高电平时，输入高电平的悬臂梁（9）被下拉，沟道处于导通状态，漏极（8）输出为低电平。