[发明专利]砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅倍频器

摘要

本发明的GaAs基低漏电流双悬臂梁开关双栅HEMT倍频器，由GaAs衬底，增强型HEMT，以及外接的低通滤波器，压控振荡器，除法器、高频扼流圈构成。悬臂梁开关的下拉电压设计为HEMT的阈值电压，通过直流偏置控制HEMT的导通和信号的传输。两个悬臂梁均悬浮断开时，栅电压为0，无法形成沟道，HEMT截止，有利于减小栅极漏电流。两个悬臂梁均通过直流偏置下拉闭合时，偏置改变肖特基势垒宽度，二维电子气沟道浓度增大，HEMT导通，参考信号和反馈信号通过HEMT传输。漏极输出信号经低通滤波器和压控振荡器、除法器反馈循环后，得到参考信号的倍频信号。只有一个悬臂梁开关闭合时，可实现对单个信号的放大，实现多功能。

主权项

一种砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅倍频器，其特征在于该倍频器的HEMT为生长在GaAs衬底(1)上的增强型HEMT，包括本征GaAs层(2)，本征AlGaAs层(3)，N+AlGaAs层(4)，源极(5)，漏极(6)，栅极(7)，锚区(8)，悬臂梁开关(9)，下拉极板(10)，绝缘层(11)，通孔(12)，引线(13)；在GaAs衬底(1)上有本征GaAs层(2)，本征GaAs层(2)上有本征AlGaAs层(3)，本征AlGaAs层(3)上有N+AlGaAs层(4)，源极(5)，漏极(6)位于两个悬臂梁开关(9)的两侧，源极(5)接地，两个栅极(7)并列设置，与两个悬臂梁开关(9)一一对应，悬臂梁开关(9)的一端固定在锚区(8)上，另一端悬浮在栅极(7)之上，下拉极板(10)设置在悬臂梁开关(9)末端下方，下拉极板(10)接地，绝缘层(11)覆盖在下拉极板(10)上，直流偏置通过高频扼流圈和锚区(8)作用在悬臂梁开关(9)上，悬臂梁开关(9)的下拉电压设计为HEMT的阈值电压；引线(13)分别通过通孔(12)接本征GaAs层(2)；HEMT漏极(6)输出信号有两种工作方式，一种是选择第一端口(14)输入至低通滤波器，低通滤波器输出接入压控振荡器，压控振荡器输出通过第二端口(16)接入除法器，除法器输出信号作为反馈通过锚区(8)加载到一个悬臂梁开关(9)上，构成反馈回路，参考信号通过锚区(8)加载到另一个悬臂梁开关(9)上，HEMT的漏极(6)输出信号的另一种工作方式是选择第二端口(15)直接输出放大信号。