[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅MOS管倒相器及制备方法

摘要

本发明是一种硅基低漏电流固支梁栅MOS管倒相器及制备方法，该倒相器由固支梁栅NMOS管和固支梁栅PMOS管构成。该倒相器的MOS管的制作在Si衬底上，其栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成固支梁结构。固支梁栅的下方设计有电极板，每个MOS管的电极板与该MOS管的源极短接。固支梁栅下拉电压设计为等于MOS管的阈值电压的绝对值。当在固支梁栅与电极板间的电压小于阈值电压时，固支梁栅是悬浮在栅氧化层的上方，而只有在固支梁栅与电极板间的电压达到或大于阈值电压时，固支梁栅才会下拉到贴在栅氧化层栅氧化层上，从而使MOS管导通。本发明在工作中增大了栅极的阻抗，减小了栅氧化层中的场强，所以减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。

主权项

一种硅基低漏电流固支梁栅MOS管倒相器，其特征是该倒相器由固支梁栅NMOS管（1）和固支梁栅PMOS管（2）构成，该倒相器中的MOS管制作在P型Si衬底（3）上，其输入引线（4）利用多晶硅制作，固支梁栅NMOS管的源极（10）接地，固支梁栅PMOS管的源极（11）接电源；固支梁栅NMOS管的漏极（14）与固支梁栅PMOS管的漏极（15）短接，对于倒相器中的MOS管，其栅极悬浮在栅氧化层（5）上方，形成固支梁结构，两个MOS管的固支梁栅（6）是短接的，该固支梁栅（6）的锚区（7）制作在栅氧化层（5）上；固支梁栅（6）下方设计有电极板（8），电极板（8）的上方有栅氧化层（5）的覆盖，每个MOS管电极板（8）与该MOS管的源极短接。