[发明专利]氮化镓基低漏电流固支梁开关差分放大器

摘要

本发明的氮化镓基低漏电流固支梁开关差分放大器具有体积小，易于集成，开关速度快等显著优点；用具有固支梁开关的MESFET代替传统MESFET，本发明中所用到的N型MESFET的固支梁开关是悬浮在MESFET的栅极之上的，MESFET的栅极与衬底之间形成了肖特基接触，在栅极下方的衬底中形成耗尽层，把固支梁开关的下拉电压设计得与MESFET的阈值电压相等，当在固支梁开关与下拉电极之间所加载的电压大于MESFET的阈值电压时，固支梁下拉与栅极紧贴，此时该MESFET沟道区内的耗尽区宽度减小，当固支梁开关与下拉电极之间所加载的电压小于MESFET的阈值电压时，就不能使固支梁下拉，MESFET就不能导通，从而栅极漏电流就不会存在，减小了差分放大器的功耗。

主权项

一种氮化镓基低漏电流固支梁开关差分放大器，其特征在于该差分放大器由两个具有固支梁开关的第一N型MESFET(1)、第二N型MESFET(2)和一个恒流源(3)组成，上述两个N型MESFET的源极接在一起，并与恒流源(3)相接，恒流源的另一端接地，上述两个N型MESFET的漏极分别与电阻相接，电阻作为负载使用，两个电阻共同与电源电压相接，交流信号在差分对的两个N型MESFET的固支梁开关(5)之间输入，被放大后的交流信号在这两个N型MESFET的漏极与负载电阻之间输出；引线(4)由金属构成，两个N型MESFET的固支梁开关(5)依靠锚区(7)的支撑悬浮在MESFET的栅极(6)之上，该固支梁开关(5)由钛/金/钛组成，输入的交流信号接在固支梁开关(5)上，MESFET由栅极(6)、源极和漏极构成，其中源极和漏极由金属和重掺杂N区形成欧姆接触构成，栅极(6)由金属和沟道区形成肖特基接触构成，锚区(7)制作在衬底(11)上，N型有源区(9)构成源极和漏极，在固支梁开关(5)与衬底(11)之间存在下拉电极(10)，下拉电极(10)由氮化硅覆盖，下拉电极(10)接地，电路制作在P型氮化镓衬底(11)上。