[发明专利]氮化镓基低漏电流悬臂梁的与非门有效
| 申请号： | 201510380064.3 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105140227B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;褚晨蕾 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;H01L21/336;B81B7/02 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的氮化镓基低漏电流悬臂梁的与非门制作在半绝缘型GaN衬底(1)上，由两个N型沟道MESFET(11)和电阻R顺序串联所构成，该N型沟道MESFET(11)包括源极、漏极、栅极和沟道，这两个N沟道MESFET(11)具有悬浮的悬臂梁(4)，该悬臂梁(4)的一端固定在锚区(2)上，另一端横跨在栅极(10)上方且与栅极(10)之间有一间隙，偏置信号连接到悬臂梁(4)上，悬臂梁(4)由Au材料制作的，在悬臂梁(4)下方设有两个下拉电极(5)，下拉电极(5)是接地的，其上还覆盖有氮化硅介质层(6)，这种结构可以大大减小栅极泄漏电流，从而降低器件的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基低 漏电 悬臂梁 与非门 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基低漏电流悬臂梁的与非门，其特征在于该与非门制作在半绝缘型GaN衬底(1)上，由两个N型沟道MESFET(11)和电阻R顺序串联所构成，该N型沟道MESFET(11)包括源极、漏极、栅极和沟道，这两个N沟道MESFET(11)具有悬浮的悬臂梁(4)，该悬臂梁(4)的一端固定在锚区(2)上，另一端横跨在栅极(10)上方且与栅极(10)之间有一间隙，偏置信号连接到悬臂梁(4)上，悬臂梁(4)由Au材料制作的，在悬臂梁(4)下方设有两个下拉电极(5)，下拉电极(5)是接地的，其上还覆盖有氮化硅介质层(6)，这种结构可以大大减小栅极泄漏电流，从而降低器件的功耗。
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