[发明专利]基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关的或非门有效
| 申请号： | 201510380083.6 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105049033B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;严嘉彬 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20;B81B7/00;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的基于GaAs基低漏电流双悬臂梁开关HEMT的或非门由直流偏置源、上拉电阻、GaAs基低漏电流双悬臂梁开关HEMT组成，减少晶体管数量的同时降低了电路的功耗。在HMET栅极上方对称设计的两个悬臂梁作为信号的输入端，在悬臂梁下方各有一个下拉电极，下拉电极上覆盖着一层绝缘的氮化硅介质层。当HMET两个输入为低电平时，悬臂梁都处于悬浮状态，此时HEMT的沟道被耗尽层阻断，漏极输出为高电平；当至少一个输入端为高电平时，高电平对应的悬臂梁被下拉，此时HEMT的沟道处于导通状态，漏极输出为低电平，从而实现了或非门逻辑功能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 砷化镓基低 漏电 悬臂梁 开关 非门 | ||
【主权项】：
一种基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关的或非门，其特征是：该或非门以半绝缘GaAs衬底(1)为基底，在半绝缘GaAs衬底(1)上设有本征GaAs层(2)、本征AlGaAs层(3)、N+AlGaAs层(4)、源极(13)、漏极(14)、栅极金属层(5)和悬臂梁(12)；悬臂梁(12)材料为Au，其一端固定在锚区(8)上，锚区(8)和输入引线(9)相连，作为信号的输入端；在悬臂梁(12)的下方各有一个栅极金属层(5)和下拉电极(6)，下拉电极(6)接地，下拉电极(6)的上面覆盖一层绝缘的氮化硅介质层(7)，源极(13)、漏极(14)分别位于栅极金属层(5)的两侧，所述的漏极(14)与上拉电阻(17)相连，源极(13)接地，悬臂梁(12)的下拉电压设置为HEMT的阈值电压；本征GaAs层(2)和本征AlGaAs层(3)间的异质结形成的二维电子气通道，悬臂梁处于悬浮状态时被肖特基接触的耗尽区阻断，在施加偏置电压使悬臂梁(12)下拉时，肖特基接触的耗尽区变窄，二维电子气通道处于导通状态；两个悬臂梁(12)的输入引线(9)都输入低电平时，悬臂梁(12)处于悬浮态，由于二维电子气沟道被耗尽层阻断，漏极(14)输出为高电平；当至少一个悬臂梁(12)的输入引线(9)上输入高电平时，输入高电平的悬臂梁(12)被下拉，HMET的二维电子气沟道处于导通态，漏极(14)输出为低电平，由于没有栅极漏电流，使得电路中的功耗被有效地降低。
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