[发明专利]硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器

摘要

本发明的硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器用具有悬臂梁栅的MOS管代替传统的MOS管。悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器由交叉耦合的悬臂梁栅NMOS管，谐振LC回路和恒流源构成。该交叉耦合振荡器中的悬臂梁栅NMOS管是制作在P型Si衬底上，该悬臂梁栅MOS管的栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成悬臂梁栅，悬臂梁栅下方设计有下拉电极板，下拉电极板接地，相对于传统MOS管在截止时栅极氧化层很薄，导致栅极氧化层中的场强很大会产生一定的栅极漏电流，该交叉耦合振荡器中的悬臂梁栅MOS管关断时，悬臂梁栅是悬浮的，栅极氧化层中的场强比较小，栅极漏电流大大减小,从而使得该硅基悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器的功耗得到有效的降低。

主权项

一种硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器，其特征是该振荡器由第一悬臂梁栅NMOS管(1)，第二悬臂梁栅NMOS管(2)，LC谐振回路和恒流源(11)组成，该交叉耦合振荡器中的悬臂梁栅NMOS管制作在P型Si衬底(3)上，该第一悬臂梁栅NMOS管(1)和第二悬臂梁栅NMOS管(2)的栅极是依靠锚区(7)的支撑悬浮在栅氧化层(5)上方形成悬臂梁栅(6)，悬臂梁栅(6)的两个锚区(7)用多晶硅制作在栅氧化层(5)上，悬臂梁栅(6)下方设计有下拉电极板(8)，下拉电极板(8)接地，第一悬臂梁栅NMOS管(1)和第二悬臂梁栅NMOS管(2)的N+有源区源极(13)通过通孔(9)与引线(10)连在一起并与恒流源(11)相连，恒流源(11)另一端接地，第一悬臂梁栅NMOS管(1)的N+有源区漏极(12)通过锚区(7)、通孔(9)和引线(10)与悬第二悬臂梁栅NMOS管(2)的悬臂梁栅(6)连接，第二悬臂梁栅NMOS管(2)的N+有源区漏极(12)通过锚区(7)、通孔(9)和引线(10)与第一悬臂梁栅NMOS管(1)的悬臂梁栅(6)连接从而形成交叉耦合结构，LC谐振回路接在第一悬臂梁栅NMOS管(1)和第二悬臂梁栅NMOS管(2)的漏极(12)之间；通过设计使第一悬臂梁栅NMOS管(1)和第二悬臂梁栅NMOS管(2)的阈值电压相等，并使悬臂梁栅(6)的下拉电压与第一悬臂梁栅NMOS管(1)和第二悬臂梁栅NMOS管(2)阈值电压相等，在悬臂梁栅(6)和下拉电极板之间的电压小于阈值电压时，悬臂梁栅(6)是悬浮在栅氧化层(5)上方，栅极电容较小，悬臂梁栅NMOS管关断，悬浮的悬臂梁栅(6)使得栅氧化层(5)中的场强比较小，栅极漏电流很小。