[发明专利]一种磷化铟单晶的生长方法及生长装置有效
| 申请号： | 201510381030.6 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104911690B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 狄聚青;朱刘;胡丹 | 申请（专利权）人： | 清远先导材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种磷化铟单晶的生长方法，包括以下步骤采用垂直梯度凝固法，将磷化铟籽晶、磷化铟多晶、三氧化二硼和红磷进行加热，进行晶体生长，得到磷化铟单晶；所述红磷占磷化铟多晶、三氧化二硼和红磷三者总质量的0.05～0.1％。本发明提供的生长方法无需添加铁或硫等掺杂剂，即可得到位错密度较低的磷化铟单晶，简化了工艺，节约了成本，并且，本发明中红磷的用量较小，仅为现有技术中红磷用量的十分之一，降低了生产中的危险性。试验结果表明，本发明提供的生长方法得到的磷化铟单晶的平均位错密度为2000～4000/cm2，局部位错密度在500/cm2以下。本发明还提供了一种磷化铟单晶的生长装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 铟单晶 生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种磷化铟单晶的生长方法，包括以下步骤：采用垂直梯度凝固法，将磷化铟籽晶、磷化铟多晶、三氧化二硼和红磷进行加热，进行晶体生长，得到磷化铟单晶；所述红磷占磷化铟多晶、三氧化二硼和红磷三者总质量的0.05～0.1％；所述加热过程具体包括以下步骤：以第一温度进行加热1～12小时，然后以第一速率降温至第二温度，再以第二速率降温至第三温度，得到磷化铟单晶；所述第一温度为1100～1230℃；所述第二温度为900～1000℃；所述第三温度为20～35℃；所述第一速率为0.5～2℃/小时；所述第二速率为3～15℃/小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清远先导材料有限公司，未经清远先导材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510381030.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
