[发明专利]一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510381366.2 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN105140391B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 闫小兵;李玉成;任德亮 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司13112 | 代理人： | 白海静 |
| 地址： | 071002 河北省保*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法。所述双电荷注入俘获存储器的结构由下至上依次是Pt衬底、Zr0.5Hf0.5O2膜层、Ba0.6Sr0.4TiO3膜层和电极膜层；在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层和所述Ba0.6Sr0.4TiO3膜层之间还具有通过退火工艺形成的互扩散层。本发明中的互扩散层可以俘获电子或空穴，在同一电压下通过电容的高低状态来进行存储；设置Zr0.5Hf0.5O2膜层、Ba0.6Sr0.4TiO3膜层具有不同的厚度，可使器件实现不同的存储性能。本发明所提供的双电荷注入俘获存储器，可应用于信息存储和其他种类的集成电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 注入 俘获 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双电荷注入俘获存储器，其特征是，其结构由下至上依次是Pt衬底、Zr0.5Hf0.5O2膜层、Ba0.6Sr0.4TiO3膜层和电极膜层；在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层和所述Ba0.6Sr0.4TiO3膜层之间还具有互扩散层；所述Zr0.5Hf0.5O2膜层是在Pt衬底上通过磁控溅射所制成，所述Ba0.6Sr0.4TiO3膜层是在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层上通过磁控溅射所制成，所述互扩散层是在形成所述Ba0.6Sr0.4TiO3膜层后通过退火工艺而形成；所述电极膜层为Au电极膜层或Pt电极膜层，所述电极膜层是在形成所述互扩散层后在所述Ba0.6Sr0.4TiO3膜层上通过真空蒸镀而形成。
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