[发明专利]晶圆键合方法以及晶圆键合结构

摘要

本发明提供一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构，其中晶圆键合方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆和第二晶圆的第一介质层上覆盖金属材料层；对金属材料层和第一介质层进行第一研磨，露出第一介质层表面之后，在第一介质层表面形成第二介质层，对第二介质层、第一介质层和金属垫进行第二研磨，露出凹槽中的金属垫表面，对所述金属垫的去除速率与对所述第一介质层、第二介质层的去除速率相当，在第二研磨之后，第一晶圆上不同位置处的金属垫表面基本都和第一介质层的表面齐平，使得在第二研磨之后，第一晶圆上不同位置处的金属垫厚度较为均匀。在对第一晶圆和第二晶圆进行键合工艺之后，提高晶圆键合结构中金属垫之间的电连接的质量。

主权项

1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和第二晶圆均包括衬底；在所述第一晶圆和第二晶圆的衬底上均形成第一介质层，在所述第一介质层中形成凹槽；在所述第一介质层上覆盖金属材料层，所述金属材料层填充满所述凹槽；对所述金属材料层和第一介质层进行第一研磨，露出所述第一介质层表面，所述凹槽中的金属材料层为金属垫；在所述第一介质层表面形成第二介质层，对所述第二介质层、第一介质层和金属垫进行第二研磨，露出所述凹槽中的金属垫表面，在所述第二研磨的步骤中，对所述金属垫的去除速率与对所述第一、第二介质层的去除速率相当；将所述第一晶圆和第二晶圆的金属垫相对设置并相互对准，对所述第一晶圆和第二晶圆进行晶圆键合工艺，形成晶圆键合结构。